スイッチング電源設計時のEMI対策

1. ノイズ回路ノードの PCB 銅箔面積を最小限に抑えます。 スイッチパイプのドレイン、コレクタ、一次巻線ノードなど。

2. 入出力端はトランスコイル、トランス磁心、スイッチ管の放熱板などのノイズ要素から遠ざけてください。

3. 通常の動作ではエンクロージャの端が外側のアース線に近づく可能性があるため、ノイズ要素 (シールドなしのトランス コイル、シールドなしのトランス コア、スイッチ チューブなど) をエンクロージャの端から遠ざけてください。

4. 変圧器が電界シールドを使用していない場合は、シールドとラジエーターを変圧器から遠ざけてください。

5. 次の電流ループの面積を最小限に抑えます: 二次 (出力) 整流器、一次スイッチング電源デバイス、グリッド (ベース) ドライブ ライン、補助整流器。

6. ゲート (ベース) 駆動フィードバック ループを主スイッチ回路または補助整流回路と混合しないでください。

7. スイッチのデッドゾーン時間でリンギングが発生しないようにダンピング抵抗値を調整し最適化します。

8. EMI フィルタリングのインダクタンス飽和を防止します。

9. ターンノードと二次回路要素をスイッチングチューブの一次シールドやヒートシンクから遠ざけてください。

10. 発振ノードおよび一次回路のコンポーネントをシールドまたはラジエーターから遠ざけてください。

11. 高周波入力の EMI フィルタを入力ケーブルまたはコネクタ端の近くに置いてください。

12. 高周波出力の EMI フィルタを出力線の端子の近くに置いてください。

13. EMI フィルタの反対側の PCB プレートの銅箔とコンポーネント本体の間の距離を保ちます。

補助コイル用の整流器のラインに抵抗を入れます。

15. 磁気ロッドコイルの並列ダンピング抵抗。

16. 出力 RF フィルターの両端の並列ダンピング抵抗。

17. 1nF/500v セラミック コンデンサは PCB 設計で使用できます。または、トランスの一次静的端と補助巻線の間に接続される一連の抵抗でも構いません。

18. EMI フィルターを電源トランスから遠ざけてください。 特に、ラップの端に配置することは避けてください。

19. PCB に十分な面積がある場合、シールド巻線のピンの位置と RC ダンパーの位置を PCB 上に残し、RC ダンパーをシールド巻線の両端に接着することができます。

20. スペースが許せば、スイッチングパワー電界効果管のドレインとゲートの間にフットパスリードコンデンサ (ミラー静電容量、10 ピコ / 1 kv 静電容量) を配置します。

スペースが許せば、DC 出力に小さな RC ダンパーを配置します。

AC ソケットをプライマリ スイッチ チューブのヒートシンクに近づけないでください。