Etnewsは、Samsung ElectronicsとSK Hynixが高NAの極紫外(EUV)露光装置を発注したと報じた。

Etnewsは、サムスン電子とSKハイニックスがリソグラフィー大手ASMLに次世代半導体装置用の高NA極紫外線（EUV）露光装置を発注したと報じた。 TSMCやインテルに続き、韓国の半導体メーカーも2nmプロセスが可能な装置の導入を準備している。 最先端のプロセスをめぐる競争は激化すると予想されます。

ITハウスでは、高NA EUV装置は現在使用されているEUV装置に比べて高価であるものの、超微細プロセス（シングルパターニング）を一度で実現できるため、生産性が大幅に向上すると考えています。 サムスン電子にとっては、3nm量産に先立って2nm量産用の高NA EUVデバイスを確保する必要がある。 既存のEUV装置の費用は2000億ウォン（約10億8000万元）～3000億ウォン（約15億1200万元）と推定され、高NA EUV装置の費用は5000億ウォン（約25億2000万元）と推定されている。