電界効果トランジスタ

Shenzhen Shenchuang Hi-tech Electronics Co., Ltd (SChitec) は、電話アクセサリーの製造と販売を専門とするハイテク企業です。 当社の主な製品には、旅行用充電器、車用充電器、USB ケーブル、パワーバンク、その他のデジタル製品が含まれます。すべての製品は安全で信頼性が高く、ユニークなスタイルを備えています。製品は CE、FCC、ROHS、UL、PSE、C-Tick などの証明書に合格しています。ご興味がございましたら、ceo@schitec.com に直接お問い合わせください。 

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電界効果トランジスタ

「電界効果」の意味は、このトランジスタの動作原理が半導体の電界効果に基づいていることを意味します。

電界効果トランジスタ 電界効果の原理で動作するトランジスタ。 電界効果トランジスタには、接合 FET (JFET) と金属酸化膜半導体 FET (MOS-FET) の 2 つの主なタイプがあります。 BJT とは異なり、FET は 1 種類のキャリア (多数キャリア) によってのみ電気伝導するため、ユニポーラ トランジスタとも呼ばれます。 これは電圧制御半導体デバイスに属し、高入力抵抗、低ノイズ、低消費電力、広いダイナミックレンジ、容易な集積化、二次破壊なし、広い安全作業領域という利点があります。

電界効果は、半導体の表面に垂直に印加される電界の方向または大きさを変更して、半導体導電層 (チャネル) 内の多数キャリアの密度または種類を制御することです。 これはチャネル内の電圧変調された電流であり、その動作電流は半導体内の多数キャリアによって輸送されます。 このように一種類の極性キャリアのみが伝導に関与するトランジスタはユニポーラトランジスタとも呼ばれる。 バイポーラトランジスタと比較して、電界効果トランジスタは、高入力インピーダンス、低ノイズ、高限界周波数、低消費電力、簡単な製造プロセス、良好な温度特性という特徴を備えています。 各種増幅回路、デジタル回路、マイクロ波回路などに幅広く使用されています。 待って。 シリコンベースの金属0-酸化物半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)とガリウムヒ素ベースのショットキーバリア電界効果トランジスタ(MESFET)は、2つの最も重要な電界効果トランジスタです。 MOS LSIやMES超高速集積回路の基本デバイスです。