薄膜抵抗体の熱処理

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薄膜抵抗体の熱処理

抵抗膜の熱処理の目的は、膜中に一定数の絶縁相を形成して、膜の温度性能と長期安定性を向上させることです。 抵抗薄膜の製造プロセスは通常、高温かつ短時間で行われるため、多数の不均衡な欠陥と一部の準安定構造が残存し、その結果、これらの欠陥は徐々に消失し、長期の使用により準安定状態が徐々に変化します。薄膜の製造プロセスにより、薄膜の性能は徐々に変化します。 熱処理により、堆積プロセスで発生した転位の一部が表面に移動して消失し、粒界欠陥の数が減少します。 その結果、膜の構造が大幅に改善され、膜が準安定状態から安定状態に変化し、膜性能が安定する傾向にあります。 また、膜と基板は異なる材料である場合が多いため、界面での相互拡散や化学反応が避けられず、抵抗膜の特性が徐々に変化します。 同様に、膜表面では拡散や反応により膜の性質が時間の経過とともに変化します。

このように、熱処理を行わない抵抗膜の性能は十分に安定していないため、温度、時間、雰囲気などの適切な熱処理プロセス条件を選択する必要があることがわかります。 一般に、限られた熱処理時間内でフィルム内の複数のプロセスを完了できるのは高温でのみであるため、高温を選択する必要があります。 同時にフィルム表面に緻密な保護層を形成する必要があります。 適切な熱処理温度と時間に加えて、必要な熱処理雰囲気を選択する必要があります。 例えば、酸化性または窒化性雰囲気を使用します。 このようにして、絶縁相は、分子の直線性の微細な分散など、極めて微細な分散構造を達成することができ、その結果、フィルムの安定性と温度性能が最高に達することができる。

電気材料の分類

現在、抵抗膜を形成する材料は純金属、金属合金、金属化合物やサーメット（セラミックと金属の組み合わせ）など数多くありますが、モノリシックアナログ集積回路や抵抗膜に広く使われている材料は3種類あります。ハイブリッド回路: ニッケルクロム、クロムシリコン、クロムシリコン酸化物サーメット。このうちニッケルクロムは低抵抗材料に属し、クロムシリコンとクロムシリコン酸化物は高抵抗材料に属します。 一般に使用される薄膜抵抗材料は、材料の組成の違いにより、ニッケルクロム、クロムシリコン、クロムシリコン酸化物の3種類に分類されます。