漏れインダクタンスエネルギーの損失とスイッチング管のスイッチング損失の増加により、電源の効率が低下し、スイッチング周波数の増加が制限されます。

漏れインダクタンスエネルギーの損失とスイッチング管のスイッチング損失の増加により、電源の効率が低下し、スイッチング周波数の増加が制限されます。

従来のフライバック電源では、トランスの漏れインダクタンスによって発生する電圧を吸収し、スイッチ管の破壊を防ぐためにRCDクランプ回路が使用されていました。 しかし、漏れインダクタンスのエネルギーはすべて抵抗を介して消費されるため、電源の温度上昇は改善されます。 また、スイッチ管のドレインノードの回路等価容量は、スイッチ管のスイッチングごとに１回充放電する必要があり、スイッチング損失が増加する。 漏れインダクタンスエネルギーの損失とスイッチング管のスイッチング損失の増加は、電源の効率を低下させ、スイッチング周波数の増加を制限します。