トランジスタ開発の歴史
Nov 02, 2019| SChitec で安全に充電を続ける
トランジスタ開発の歴史
1947 年 12 月 23 日、ニュージャージー州マレーヒルのベル研究所で、3 人の科学者、博士。 バディング、ブライトン博士、ショーリー博士は、神経質かつ系統的に実験を行った。 彼らは、導体回路内の半導体結晶を使用して音声信号を増幅する実験を行っています。 3 人の科学者は、自分たちが発明したデバイスに流れる少量の電流が、他の部分に流れるはるかに大きな電流を制御し、増幅効果を生み出すことができることを発見して驚きました。 このデバイスは、科学技術史上画期的な成果であるトランジスタです。 クリスマスイブに発明され、人々の今後の人生に大きな影響を与えることから「世界へのクリスマスプレゼント」とも呼ばれています。 こうして 3 人の科学者は 1956 年のノーベル物理学賞を受賞しました。
[2] 新しい研究では、N 材料の電子エネルギーレベルが低く、電子エネルギーが低いため、対応する材料の層をトランジスタ電子の流出端の基板の外側に堆積して半導体冷却 PN 構造を形成できることが判明しました。 P素材のレベルが高い。 流れるときに基板から熱を奪う必要があり、これがトランジスタ コアの熱放散に適しています。 奪われる熱は電流の大きさに比例するため、業界ではこれを「電子血液」冷却技術とも呼んでいます。 新しい冷却三極管は、追加された新しい材料の極性に応じて、N-PNP または NPN-P と呼ばれます。
トランジスタは「ソリッドステート革命」を促進し、もたらし、それが世界中の半導体エレクトロニクス産業を推進します。 主要なコンポーネントとして、それは何よりもまずコミュニケーション ツールにタイムリーかつ普遍的に適用され、多大な経済的利益を生み出してきました。 トランジスタが電子回路の構造を一変させたことにより、集積回路や大規模集積回路が出現し、高速電子計算機などの高精度デバイスの製造が現実になりました。